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國產(chǎn)OLED材料新突破 | 華南理工唐本忠院士團(tuán)隊(duì)研發(fā)天藍(lán)光OLED,外量子效率提高至38%!

編輯:chinafpt 2021-11-30 10:23:04 瀏覽:6797  來源:

  近日,華南理工大學(xué)唐本忠院士團(tuán)隊(duì)的趙祖金教授和團(tuán)隊(duì),研發(fā)出一類高性能天藍(lán)光 OLED 材料,在論文正式發(fā)表前已經(jīng)申請(qǐng)專利,以便后續(xù)落地到產(chǎn)業(yè)中。

  10 月 20 日,相關(guān)論文以《優(yōu)化水平偶極取向以提高天藍(lán)色延遲熒光分子的外量子效率至38.6%》(Boosting external quantum efficiency to 38.6% of sky-blue delayed fluorescence molecules by optimizing horizontal dipole orientation)為題,發(fā)表在 Science Advances 上[1]。

  圖 | 相關(guān)論文(來源:Science Advances)

  趙祖金表示,這些高性能發(fā)光材料具有典型的聚集誘導(dǎo)發(fā)光(AIE)特性,相關(guān)光物理機(jī)制與 AIE 理論密切相關(guān),此次成果給 AIE 研究領(lǐng)域再添一筆,也意味著 AIE 材料在光電器件應(yīng)用方面取得了新的突破。

  利用分子水平偶極取向工程,提升 OLED 光取出效率

  為了實(shí)現(xiàn)高電致發(fā)光效率,科學(xué)家們努力提高發(fā)光分子的光致發(fā)光量子產(chǎn)率和激子利用率,而光取出效率的提升在分子設(shè)計(jì)中受到的關(guān)注相對(duì)較少。在該研究中,該團(tuán)隊(duì)通過分子的水平偶極取向工程,成功地提高了材料的光取出效率,最終使器件外量子效率有極大的提升。

  如何在材料設(shè)計(jì)上繼續(xù)提升光取出效率,是該研究的難點(diǎn)。借此他們開發(fā)出一系列以吸電子基團(tuán)羰基為核心的分子,同時(shí)引入螺吖啶和咔唑衍生物兩種給電子基團(tuán),來提升分子水平偶極取向的比率,從而提高分子的光取出效率。

  圖 | 研究中所設(shè)計(jì)的分子化學(xué)結(jié)構(gòu)與幾何構(gòu)型示意圖(來源:Science Advances)

  這些分子具有很強(qiáng)的天藍(lán)色延遲熒光,并表現(xiàn)出優(yōu)異的光致發(fā)光量子產(chǎn)率、大的水平偶極取向比率和平衡的雙極載流子傳輸?shù)韧怀鰞?yōu)點(diǎn)。

  圖 | 定制分子的光物理性質(zhì)(來源:Science Advances)

  在非摻雜和摻雜的天藍(lán)光 OLED 中可分別實(shí)現(xiàn)高達(dá) 26.1% 和 38.6% 的外量子效率,是目前文獻(xiàn)中所報(bào)道的最高值。

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  此外,該研究還實(shí)現(xiàn)了性能最好的非摻雜雜化白光 OLED 和全熒光單發(fā)射層白光 OLED,表明這些分子在 OLED 產(chǎn)業(yè)中具有巨大的應(yīng)用潛力。

  圖 | 天藍(lán)光 OLEDs 的器件性能(來源:Science Advances)

  據(jù)悉,藍(lán)光材料是發(fā)光材料領(lǐng)域的難點(diǎn)問題,相關(guān)材料的性能并不是很好,該研究所報(bào)道的天藍(lán)光材料,很大程度上解決了目前藍(lán)光材料選擇匱乏、且性能不好的難題,為發(fā)光材料的設(shè)計(jì)提供了新方法。

  此外,利用理論計(jì)算方法,該研究揭示了所構(gòu)建分子實(shí)現(xiàn)高性能 OLED 的機(jī)理。

  在這些分子中,羰基和螺吖啶通過苯基橋形成一個(gè)扭曲的 D-A 分子骨架,主導(dǎo)天藍(lán)色延遲熒光的產(chǎn)生。由于 n-π* 躍遷的存在,羰基核有利于增強(qiáng)自旋軌道耦合效應(yīng)(SOC,spin-orbit coupling)和反向系間竄越(RISC, reverse intersystem crossing)過程,從而促進(jìn)延遲熒光的產(chǎn)生,提高激子利用率。

  圖 | 一系列定制發(fā)光分子的理論計(jì)算(來源:Science Advances)

  此外,在這些分子中,分布于羰基核上的n軌道使得由 n-π* 躍遷控制的 T1態(tài),比由 π-π* 躍遷主導(dǎo)的 S1 態(tài)對(duì)基質(zhì)極性的變化更敏感;且 n-π* 和 π-π*躍遷在大極性環(huán)境中激發(fā)態(tài)和基態(tài)能極差的變化相反,一個(gè)增大一個(gè)減小。

  因此,在發(fā)光分子 S1 態(tài)的極性 > DPEPO(二苯基-4-三苯基甲硅烷基苯基氧,Bis[2-(diphenylphosphino)phenyl]ether oxide)主體材料的極性 > T1 態(tài)的極性的前提下,與非摻膜相比,發(fā)光分子在 DPEPO 主體中的 T1 能級(jí)的增量大于 S1,導(dǎo)致 ΔEST 值(S1與T1態(tài)的能量差值)降低。這種與 S1 態(tài)和 T1 態(tài)的極性,以及躍遷類型相關(guān)的主體材料調(diào)節(jié)效應(yīng),可用于有效地調(diào)節(jié) ΔEST 值和延遲熒光特性。

  圖 | S1 態(tài)和 T1 態(tài)的躍遷類型(來源:Science Advances)

  在羰基核的另一邊引入咔唑單元時(shí),幾乎沒有干擾最高被占據(jù)的分子軌道(HOMO),以及最低未被占據(jù)的分子軌道(LUMO)的電子結(jié)構(gòu)。因此對(duì)延遲熒光性質(zhì)沒有破壞作用,但在一定程度上減弱了分子內(nèi)電荷轉(zhuǎn)移效應(yīng),使分子的發(fā)射發(fā)生藍(lán)移。

  準(zhǔn)確來說,咔唑類單元的存在,不僅對(duì)于增強(qiáng)熱穩(wěn)定性、防止發(fā)光猝滅和激子湮滅存在明顯的積極影響,而且通過調(diào)節(jié) HOMO-1 軌道的分布和分子的堆疊,還可影響載流子的遷移率。隨著咔唑單元的增加,分子的電子遷移率略有變化,但空穴遷移率的變化相對(duì)較大,最終使分子具有非常平衡的電子和空穴傳輸能力。

  相關(guān)實(shí)驗(yàn)結(jié)果,不僅證明了這些發(fā)光分子在 OLED 中的巨大潛力,也揭示了這些分子采取的水平偶極取向工程,可能會(huì)給 OLED 帶來新的突破。

  內(nèi)容來源:DeepTech深科技 作者:多加

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