據報�，韓國首爾國立大學（SNU）的研究團隊成功�100nm的藍寶石納米薄膜上生長出Micro LED陣列�
據論文顯�，SNU的材料科學和工程系團隊設計出一種藍寶石納米薄膜陣列，用于生長尺寸為4μm × 16μm的Micro LED陣列。這種方法無需經過等離子蝕刻工藝就能夠實現Micro LED芯片的單片化，提供更高的外量子效率（EQE��
圖片來源: 《科學報告�/SNU
相比在平面基板上生長的氮化鎵基Micro LED，在藍寶石納米薄膜上生長Micro LED的新方法將Micro LED的位錯密度降低了59.6%，內量子效率（IQE）提高了44%。此�，由此方法生長出的Micro LED的光致發光能力是前者的3.3��
同時，還可以通過機械力破壞藍寶石納米薄膜，因�，可輕易將Micro LED與基板分離并轉移至顯示驅動背板上，簡化了制程，降低了成本�
研究團隊認為，此技術突破克服了現階段Micro LED制造工藝的局限，將加快Micro LED顯示技術的商業化進程�
據悉，研究結果已發表在《科學報告》（Scientific Reports）雜志上。除了SNU研究者以�，三星尖端技術研究院（Samsung Advanced Institute of Technology�、韓國科學技術院（KAIST）以及韓國光子技術研究所（Korea Photonics Institute）也參與了這項技術研�，并獲得三星未來技術推廣中心（Samsung Future Technology Promotion Center）、韓國教育部BK21 Plus項目及韓國研究基金會（Korea Research Foundation）的支持�
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